申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司

申请日：2019-08-06

公开（公告）日：2020-03-20

公开（公告）号：CN210168124U

主分类号：H04N5/369(20110101)

分类号：H04N5/369(20110101);H04N5/378(20110101);H01L27/146(20060101)

优先权：["20180913 US 16/130,118"]

专利状态码：失效-未缴年费专利权终止

法律状态：2023.08.11#未缴年费专利权终止;2020.03.20#授权

摘要：本实用新型题为“图像传感器”。本实用新型提供了一种图像传感器，该图像传感器可包括具有非破坏性读出能力的成像像素。每个成像像素都可包括衬底，该衬底具有感光区域，该感光区域响应于入射光而生成电荷。该电荷可邻近浮栅聚积在该衬底的正面处。该浮栅的电压可取决于聚积了多少电荷。可对该浮栅的该电压重复地采样以监测随时间推移所接收的入射光的量。第一复位晶体管可为该衬底清除聚积的电荷。第二复位晶体管可复位该浮栅的电压。如果需要，该成像像素可在多个晶圆之间分割开，并且可包括nMOS晶体管和pMOS晶体管。

主权项：1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；感光区域，所述感光区域在所述半导体衬底中，其中所述感光区域被配置为在积聚周期期间响应于入射光而生成电荷；浮栅，所述浮栅邻近所述半导体衬底的所述第一表面形成，其中由所述感光区域生成的所述电荷聚积在邻近所述浮栅的所述半导体衬底的所述第一表面处；和源极跟随器晶体管，其中所述浮栅电连接到所述源极跟随器晶体管的栅极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 图像传感器

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