申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-02-26

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111448659A

主分类号：H01L27/11517(20170101)

分类号：H01L27/11517(20170101);H01L27/11524(20170101);H01L27/11563(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11578(20170101);H01L27/11551(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.10.01#授权;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：一种用于形成存储器件的方法包括提供初始半导体结构，该初始半导体结构包括：基础衬底；形成于基础衬底上的第一牺牲层；设置在第一牺牲层上的堆叠结构；穿过堆叠结构和第一牺牲层形成的多个沟道；以及穿过堆叠结构形成并且暴露第一牺牲层的栅极线沟槽。该方法还包括：在栅极线沟槽的侧壁上形成至少一个保护层；使用至少一个保护层作为蚀刻掩模来去除第一牺牲层，以暴露多个沟道中的每者的部分和基础衬底的表面；以及在基础衬底和多个沟道的所暴露的表面上形成外延层。

主权项：1.一种用于形成存储器件的方法，包括：提供初始半导体结构，其包括：基础衬底；形成于所述基础衬底上的第一牺牲层；设置在所述第一牺牲层上的堆叠结构；穿过所述堆叠结构和所述第一牺牲层形成的多个沟道；以及穿过所述堆叠结构形成并且暴露所述第一牺牲层的栅极线沟槽；在所述栅极线沟槽的侧壁上形成至少一个保护层；使用所述至少一个保护层作为蚀刻掩模来去除所述第一牺牲层，以暴露所述多个沟道中的每者的部分和所述基础衬底的表面；以及在所述基础衬底和所述多个沟道的所暴露的表面上形成外延层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器件及其形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD