申请/专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司

申请日：2019-12-26

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN211497866U

主分类号：C30B29/36(20060101)

分类号：C30B29/36(20060101);C30B23/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.09.15#授权

摘要：本申请公开了一种长晶装置，属于半导体材料领域。该长晶装置的保温层包括至于坩埚上方的上保温层组，上保温层组设置测温孔，上保温层组包括共中心轴的第一上保温层和第二上保温层，第一上保温层设置第一开口，第二上保温层设置第二开口，测温孔使坩埚内形成盛放原料的低温区和设置籽晶的高温区；包括旋转调节机构，旋转调节机构旋转第一上保温层和或第二上保温层，以调节第一开口和第二开口形成的测温孔的横截面积大小，进而调节长晶过程中坩埚内轴向温度梯度和径向温度梯度。该长晶装置不仅可以调节生长单晶的生长腔内径向温度梯度；并且可以在降低径向温度梯度的同时，可以保证具有一定的轴向温度梯度，而可以高效率的制得高质量的单晶。

主权项：1.一种长晶装置，其包括坩埚、保温层、炉体和加热件，其特征在于，所述保温层包括至于坩埚上方的上保温层组，所述上保温层组设置测温孔，所述上保温层组包括共中心轴的第一上保温层和第二上保温层，所述第一上保温层设置第一开口，所述第二上保温层设置第二开口，所述测温孔使坩埚内形成盛放原料的低温区和设置籽晶的高温区；还包括旋转调节机构，所述旋转调节机构旋转所述第一上保温层和或第二上保温层，以调节所述第一开口和第二开口形成的测温孔的横截面积大小，进而调节长晶过程中坩埚内轴向温度梯度和径向温度梯度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东天岳先进材料科技有限公司 一种长晶装置

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