申请/专利权人：上海晶丰明源半导体股份有限公司

申请日：2020-07-07

公开（公告）日：2020-10-13

公开（公告）号：CN111769160A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.13#公开

摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：漂移区，位于体区和漏区之间，形成于衬底之上；自所述漂移区上表面垂直延伸到所述漂移区内的沟槽；沟槽绝缘填充结构，填充于所述沟槽中；场绝缘介质层，至少形成于部分所述沟槽绝缘填充结构的上方并横向延伸至靠近所述体区一侧的所述漂移区上方，以覆盖所述沟槽侧壁顶端同位于所述体区一侧的所述漂移区上表面的交界处；以及，栅极，包含有栅介质层和形成于栅介质层之上的栅结构，其中所述栅介质层自所述漂移区上方横向延伸至所述沟槽绝缘填充结构的上方，从而至少部分覆盖所述场绝缘介质层。本发明的技术方案能够在不增大导通电阻的情况下提高半导体器件的击穿电压。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：漂移区，位于体区和漏区之间，形成于衬底之上；自所述漂移区上表面垂直延伸到所述漂移区内的沟槽；沟槽绝缘填充结构，填充于所述沟槽中；场绝缘介质层，至少形成于部分所述沟槽绝缘填充结构的上方并横向延伸至靠近所述体区一侧的所述漂移区上方，以覆盖所述沟槽侧壁顶端同位于所述体区一侧的所述漂移区上表面的交界处；以及，栅极，包含有栅介质层和形成于栅介质层之上的栅结构，其中所述栅介质层自所述漂移区上方横向延伸至所述沟槽绝缘填充结构的上方，从而至少部分覆盖所述场绝缘介质层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海晶丰明源半导体股份有限公司 半导体器件及其制造方法

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