申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2020-04-13

公开（公告）日：2020-10-23

公开（公告）号：CN211743090U

主分类号：H01J19/24(20060101)

分类号：H01J19/24(20060101);H01J19/28(20060101);H01J19/42(20060101);H01J9/02(20060101);H01J9/14(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.10.23#授权

摘要：本实用新型公开了一种功率器件，包括至少一个真空封装的单元结构；其中，所述单元结构包括：硅衬底以及形成于所述硅衬底上的发射极、光调制极和集电极。一方面，由于整个器件采用统一的硅基工艺制备，解决传统冷阴极场发射的发射极在工艺制备过程中的不一致性的问题，提高器件内部精度和一致性，增强器件的可靠性；另一方面，基于硅基工艺引入了形成在所述硅衬底上的光调制极，增强了发射极的场发射效率，抵消发射极不均匀性造成的发射极尖端与集电极间距的不一致性，增加冷阴极发射电极的工艺冗余度，使得器件不需要完全依靠场发射原理来产生电子，降低场发射的负荷，进一步增强器件的可靠性。

主权项：1.一种功率器件，其特征在于，包括至少一个真空封装的单元结构；其中，所述单元结构包括：硅衬底；利用硅基工艺形成在所述硅衬底上的发射极；利用硅基工艺形成在所述硅衬底上的光调制极，所述光调制极用于产生光子以激发所述发射极发射电子；利用硅基工艺形成在所述硅衬底上的集电极，所述集电极用于激发所述接收所述发射极发射的电子。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种功率器件

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