申请/专利权人：上海安导电子科技有限公司

申请日：2020-06-15

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN212010983U

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L27/088(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.24#授权

摘要：本实用新型提供了一种大过流场效应晶体管，包括多个叉指结构，每个叉指结构包括：P型基底，从所述P型基底的部分顶面至内部设置有深N阱；从所述深N阱的部分顶面至内部设置有P阱和第一N型掺杂区；从所述P阱的部分顶面至内部设置有PN结掺杂区，所述PN结掺杂区作为源极；所述P阱的另一部分顶面上设置有POLY层；其中，所述PN结掺杂区包括相互交错排成一列的多个第一P型掺杂区和第二N型掺杂区，相邻两个叉指结构之间共用所述PN结掺杂区的阳极。本实用新型可以改善器件的不均匀导通问题；提高器件鲁棒性；获得较高失效电流。

主权项：1.一种大过流场效应晶体管，其特征在于，包括多个叉指结构，每个叉指结构包括：P型基底，从所述P型基底的部分顶面至内部设置有深N阱；从所述深N阱的部分顶面至内部设置有P阱和第一N型掺杂区，所述第一N型掺杂区作为漏极；从所述P阱的部分顶面至内部设置有PN结掺杂区，所述PN结掺杂区作为源极；所述P阱的另一部分顶面上设置有POLY层；其中，所述PN结掺杂区包括相互交错排成一列的多个第一P型掺杂区和第二N型掺杂区，相邻两个叉指结构之间共用所述PN结掺杂区的阳极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海安导电子科技有限公司 大过流场效应晶体管

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