申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-04-07

公开（公告）日：2020-12-01

公开（公告）号：CN112018116A

主分类号：H01L27/108(20060101)

分类号：H01L27/108(20060101);H01L21/8242(20060101)

优先权：["20190528 US 16/423,684"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.02#授权;2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开

摘要：本公开涉及用于半导体结构图案化的方法。描述了与去除硬掩模有关的方法、设备和系统。示例方法包含在具有在工作表面上的第一硅酸盐材料的半导体结构上图案化硅硬掩模。所述方法进一步包含在所述第一硅酸盐材料上形成第一氮化物材料。所述方法进一步包含在所述第一氮化物材料上形成第二硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第二硅酸盐材料上形成第二氮化物材料。所述方法进一步包含使用经过图案化的硬掩模形成穿过所述半导体结构的开口，以形成支撑支柱。所述方法进一步包含在所述半导体结构上形成硅内衬材料。所述方法进一步包含使用湿法蚀刻工艺去除所述硅内衬材料。

主权项：1.一种方法，其包括：在半导体结构上图案化硅硬掩模材料110，410，510，所述半导体结构具有：工作表面101，201，301，401，501，601，701上的第一硅酸盐材料103，203，303，403，503；所述第一硅酸盐材料103，203，303，403，503上的第一氮化物材料105，205，305，405，505，605，705；所述第一氮化物材料105，205，305，405，505，605，705上的第二硅酸盐材料106，206，306，406，506，606；以及所述第二硅酸盐材料106，206，306，406，506，606上的第二氮化物材料108，208，308，408，508，608，708；使用经过图案化的硬掩模110，410，510形成穿过所述半导体结构的开口132，232，332，432，532，632，732以形成支撑支柱；在所述半导体结构上形成硅内衬材料316，516，616；以及使用湿法蚀刻工艺去除所述硅内衬材料316，516，616。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 用于半导体结构图案化的方法

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