申请/专利权人：珠海格力电器股份有限公司

申请日：2019-07-18

公开（公告）日：2021-01-12

公开（公告）号：CN110571148B

主分类号：H01L21/3065(20060101)

分类号：H01L21/3065(20060101);H01L21/331(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/40(20060101);H01L29/739(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.01.12#授权;2020.01.07#实质审查的生效;2019.12.13#公开

摘要：本申请涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种功率半导体器件的加工方法及功率半导体器件。功率半导体器件的加工方法包括以下步骤：在元胞区上刻蚀形成沟槽，在器件表面形成多晶硅层，多晶硅填满所述沟槽并在器件表面形成一定厚度；对元胞区部分的多晶硅层进行刻蚀，形成器件的栅极结构，对终端区部分的多晶硅层进行刻蚀形成器件的场板；其中，通过各向同性刻蚀方法刻蚀终端区部分的多晶硅层，所形成的场板的刻蚀剖面的侧壁与器件表面呈倾斜设置。通过变更刻蚀方法，采用各向同性的刻蚀方法将多晶硅层的边缘角度由直角刻蚀成斜角，ILD在垫积的时候不会形成凹坑，避免了钨刻蚀之后的钨残留问题，从而解决了金属钨与多晶硅接触短路的问题。

主权项：1.一种功率半导体器件的加工方法，包括以下步骤：在元胞区上刻蚀形成沟槽1，在器件表面形成多晶硅层2，所述多晶硅层2填满所述沟槽1并形成在所述器件表面；对元胞区部分的多晶硅层进行刻蚀，形成器件的栅极结构3，对终端区部分的多晶硅层进行刻蚀形成器件的场板4；其特征在于，通过各向同性刻蚀方法刻蚀终端区部分的多晶硅层，所形成的场板4的刻蚀剖面的侧壁与器件表面呈倾斜设置，所述场板4为台阶状结构且具有两段倾斜设置的侧壁，所述场板4形成在初始氧化层7的上层，所述初始氧化层7高出所述元胞区形成一竖直侧壁，所述元胞区、所述初始氧化层7和所述场板4形成一连续的三级台阶结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 珠海格力电器股份有限公司 功率半导体器件的加工方法及功率半导体器件

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