申请/专利权人：日产化学株式会社

申请日：2019-05-21

公开（公告）日：2021-01-15

公开（公告）号：CN112236720A

主分类号：G03F7/11(20060101)

分类号：G03F7/11(20060101);C08G8/02(20060101);G03F7/20(20060101);G03F7/26(20060101)

优先权：["20180525 JP 2018-100502"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.06.15#实质审查的生效;2021.01.15#公开

摘要：提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓的高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。制作一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物A与碳原子数3～60的含氧化合物B所具有的碳氧间双键的反应生成物、以及溶剂，上述含氧化合物B在一分子中具有1个部分结构：‑CON＜或‑COO‑，上述反应生成物中，上述含氧化合物B的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物A。

主权项：1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：碳原子数6～60的芳香族化合物A与碳原子数3～60的含氧化合物B所具有的碳氧间双键形成的反应生成物、以及溶剂，所述含氧化合物B在一分子中具有1个部分结构：-CON＜或-COO-，所述反应生成物中，所述含氧化合物B的1个碳原子连接2个所述芳香族化合物A。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日产化学株式会社 利用了碳氧间双键的抗蚀剂下层膜形成用组合物

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