申请/专利权人：新唐科技日本株式会社

申请日：2019-01-17

公开（公告）日：2021-02-12

公开（公告）号：CN112368845A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L27/088(20060101)

优先权：["20180619 US 62/687,051"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.07.06#实质审查的生效;2021.02.12#公开

摘要：半导体装置1具有：半导体层40，具有主面40a及40b；金属层31，具有主面31a及31b，主面31a与主面40b接触，比半导体层40厚，由第1金属材料构成；金属层30，具有主面30a及30b，主面30a与主面31b接触，比半导体层40厚，由杨氏模量比第1金属材料大的金属材料构成；以及晶体管10及20；晶体管10在半导体层40的主面40a侧具有源极电极11及栅极电极19；晶体管20在半导体层40的主面40a侧具有源极电极21及栅极电极29，将从源极电极11经由金属层31到源极电极21的双向路径作为主电流路径。

主权项：1.一种半导体装置，是能够倒装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其中，具有：半导体层，具有相互背对的第1主面及第2主面，由硅、氮化镓或碳化硅构成；第1金属层，具有相互背对的第3主面及第4主面，上述第3主面与上述第2主面接触地形成，该第1金属层比上述半导体层厚，且由第1金属材料构成；第2金属层，具有相互背对的第5主面及第6主面，上述第5主面与上述第4主面接触地形成，该第2金属层比上述半导体层厚，且由杨氏模量比上述第1金属材料大的第2金属材料构成；第1纵型场效应晶体管，形成于上述半导体层的第1区域中；以及第2纵型场效应晶体管，在上述半导体层中，形成于在沿着上述第1主面的方向上与上述第1区域相邻的第2区域中；上述第1纵型场效应晶体管在上述半导体层的上述第1主面侧具有第1源极电极及第1栅极电极；上述第2纵型场效应晶体管在上述半导体层的上述第1主面侧具有第2源极电极及第2栅极电极；上述第1金属层作为上述第1纵型场效应晶体管及上述第2纵型场效应晶体管的共用漏极电极发挥功能；将从上述第1源极电极经由上述共用漏极电极到上述第2源极电极的双向路径作为主电流路径。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 新唐科技日本株式会社 半导体装置

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