申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司

申请日：2020-05-25

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN112397575A

主分类号：H01L29/20(20060101)

分类号：H01L29/20(20060101);H01L29/205(20060101);H01L29/778(20060101)

优先权：["20190812 TW 108128572"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.13#授权;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本发明提供一种外延结构，包括：基板、缓冲层、背面扩散阻挡层、形成在背面扩散阻挡层上的通道层以及形成在通道层上的阻挡层。缓冲层形成在基板上。背面扩散阻挡层形成在缓冲层上，背面扩散阻挡层的化学组成为AlxInyGa1‑x‑yN，其中0≦x≦1且0≦y≦1，背面扩散阻挡层的晶格常数在之间。背面扩散阻挡层于厚度方向上由多个区域组成，且背面扩散阻挡层的铝含量与铟含量沿厚度方向为阶梯式变化或阶梯渐变式变化。背面扩散阻挡层还包括碳，且碳浓度沿厚度方向为阶梯式变化或阶梯渐变式变化。

主权项：1.一种外延结构，其特征在于，包括：基板；缓冲层，形成在所述基板上：背面扩散阻挡层，形成在所述缓冲层上，所述背面扩散阻挡层的化学组成为AlxInyGa1-x-yN，其中0≦x≦1且0≦y≦1，所述背面扩散阻挡层的晶格常数在之间，其中所述背面扩散阻挡层于厚度方向上由多个区域组成，且所述背面扩散阻挡层的铝含量与铟含量沿所述厚度方向为阶梯式变化或阶梯渐变式变化，所述背面扩散阻挡层还包括碳，且碳浓度沿所述厚度方向为阶梯式变化或阶梯渐变式变化：通道层，形成在所述背面扩散阻挡层上：阻挡层，形成在所述通道层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 环球晶圆股份有限公司 外延结构

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