申请/专利权人：隔热半导体粘合技术公司

申请日：2018-10-01

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111095532B

主分类号：H01L23/00

分类号：H01L23/00;H01L21/52;H01L23/532

优先权：["20171006 US 62/569,232","20180927 US 16/143,850"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2023.05.05#著录事项变更;2020.10.30#实质审查的生效;2020.05.01#公开

摘要：技术和装置的代表性实施方式用于减少或防止导电材料扩散到结合衬底的绝缘材料或电介质材料中。由于重叠，错位的导电结构可以直接接触衬底的电介质部分，尤其是在采用直接结合技术的情况下。通常在重叠处将可以抑制扩散的阻挡界面设置在导电材料和电介质之间。

主权项：1.一种微电子组件，包括：第一衬底，所述第一衬底具有基本平坦的第一表面，所述第一衬底包括绝缘材料；第二衬底，所述第二衬底具有基本平坦的第一表面，所述第二衬底包括绝缘材料，所述第二衬底的所述第一表面在没有粘合剂的情况下直接结合到所述第一衬底的所述第一表面；第一导电互连结构，所述第一导电互连结构嵌入所述第一衬底中，所述第一导电互连结构的表面通过所述第一衬底的所述第一表面暴露以形成第一互连焊盘；第二导电互连结构，所述第二导电互连结构嵌入所述第二衬底中，所述第二导电互连结构的表面通过所述第二衬底的所述第一表面暴露以形成第二互连焊盘；第一阻挡界面，所述第一阻挡界面设置在所述第一衬底的所述第一表面处，并至少部分地围绕所述第一互连焊盘的周边，从而在所述第一衬底的所述第一表面处将所述第一导电互连结构与所述绝缘材料分离，所述第一阻挡界面包括不同于所述第一衬底的所述绝缘材料的材料，所述第一阻挡界面的至少一部分延伸预定深度到所述第一衬底中，所述预定深度小于所述第一导电互连结构的深度；和第二阻挡界面，所述第二阻挡界面设置在所述第二衬底处并至少部分地围绕所述第二互连焊盘的周边，所述第二阻挡界面包括不同于所述第二衬底的所述绝缘材料的材料，其中所述第一导电互连结构的材料到所述第一阻挡界面的所述材料或所述第二阻挡界面的所述材料中的扩散率或所述第二导电互连结构的材料到所述第一阻挡界面的所述材料或所述第二阻挡界面的所述材料中的扩散率小于所述第一导电互连结构的材料到所述第一衬底的所述材料或所述第二衬底的所述材料中的扩散率或所述第二导电互连结构的材料到所述第一衬底的所述材料或所述第二衬底的所述材料中的扩散率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 隔热半导体粘合技术公司 用于互连的扩散阻挡衬层

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