申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2021-01-11

公开（公告）日：2021-04-30

公开（公告）号：CN112736135A

主分类号：H01L29/20(20060101)

分类号：H01L29/20(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);H01L21/02(20060101);H01L23/373(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.04.19#授权;2021.05.21#实质审查的生效;2021.04.30#公开

摘要：本发明公开了一种基于金刚石衬底的InAlNGaN高电子迁移率晶体管及制备方法，主要解决现有同类器件界面结合强度差、界面热阻高、工艺流程复杂的问题。其自下而上包括：金刚石衬底1、GaN沟道层2和InAlN势垒层3，InAlN势垒层3上同时设有源极4、漏极5和栅极6，该衬底采用晶面取向为111晶向的金刚石，以提高器件的散热能力；该GaN沟道层的厚度为20‑30nm；该InAlN势垒层的Al组分为80％‑85％，厚度为10‑15nm。本发明增强了器件的散热能力，降低了界面热阻，提高了器件的工作寿命和稳定性，简化了工艺条件，可用于高频、大功率微波毫米波器件的制备。

主权项：1.一种基于质子辐照处理的金刚石基InAlNGaN高电子迁移率晶体管，其自下而上包括：衬底1，GaN沟道层2，InAlN势垒层3，InAlN势垒层3上同时设有源极4、漏极5和栅极6，其特征在于：所述衬底1，采用晶面取向为111晶向的金刚石，以提高器件的散热能力；所述GaN沟道层2，其厚度为20-30nm；所述InAlN势垒层3，其Al组分为80％-85％，厚度为10-15nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 基于质子辐照处理的金刚石基InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法

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