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【发明公布】金刚石衬底上的N极性面GaN/InAlN异质结及制备方法_西安电子科技大学_202110060276.9 

申请/专利权人:西安电子科技大学

申请日:2021-01-18

公开(公告)日:2021-05-04

公开(公告)号:CN112750690A

主分类号:H01L21/02(20060101)

分类号:H01L21/02(20060101);H01L29/20(20060101);H01L29/778(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2023.12.29#发明专利申请公布后的驳回;2021.05.21#实质审查的生效;2021.05.04#公开

摘要:本发明公开了一种金刚石衬底上的N极性面GaNInAlN异质结及其制备方法,主要解决现有GaN基HEMT器件在大功率应用下的散热能力差和欧姆接触电阻的问题。其自下而上包括:衬底1、缓冲层2、GaN层3、InAlN外延层4和GaN帽层5。其中衬底1采用金刚石材料,用于外延生长异质结,以增强异质结的散热能力;缓冲层2采用BN材料,用于提高外延层质量;GaN层3采用N极性面GaN,用于降低欧姆接触电阻。本发明改善了GaNInAlN异质结的散热能力,同时降低了欧姆接触电阻,从而为器件在大功率下的工作奠定了基础,可用制作高频、大功率高电子迁移率晶体管器件。

主权项:1.一种金刚石衬底上的N极性面GaNInAlN异质结构,其自下而上包括:衬底1、缓冲层2、GaN层3、InAlN外延层4和GaN帽层5,其特征在于:所述衬底1,其采用金刚石材料,用于外延生长异质结,以增强异质结的散热能力,改善器件在大功率工作下的性能;所述缓冲层2,其采用BN材料,用于生长外延结构的缓冲层,以提高外延层质量;所述GaN层3,其采用N极性面GaN,用于形成N极性外延结构,以降低欧姆接触电阻。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安电子科技大学 金刚石衬底上的N极性面GaN/InAlN异质结及制备方法

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