申请/专利权人:西安电子科技大学
申请日:2021-01-18
公开(公告)日:2021-05-04
公开(公告)号:CN112750690A
主分类号:H01L21/02(20060101)
分类号:H01L21/02(20060101);H01L29/20(20060101);H01L29/778(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2023.12.29#发明专利申请公布后的驳回;2021.05.21#实质审查的生效;2021.05.04#公开
摘要:本发明公开了一种金刚石衬底上的N极性面GaNInAlN异质结及其制备方法,主要解决现有GaN基HEMT器件在大功率应用下的散热能力差和欧姆接触电阻的问题。其自下而上包括:衬底1、缓冲层2、GaN层3、InAlN外延层4和GaN帽层5。其中衬底1采用金刚石材料,用于外延生长异质结,以增强异质结的散热能力;缓冲层2采用BN材料,用于提高外延层质量;GaN层3采用N极性面GaN,用于降低欧姆接触电阻。本发明改善了GaNInAlN异质结的散热能力,同时降低了欧姆接触电阻,从而为器件在大功率下的工作奠定了基础,可用制作高频、大功率高电子迁移率晶体管器件。
主权项:1.一种金刚石衬底上的N极性面GaNInAlN异质结构,其自下而上包括:衬底1、缓冲层2、GaN层3、InAlN外延层4和GaN帽层5,其特征在于:所述衬底1,其采用金刚石材料,用于外延生长异质结,以增强异质结的散热能力,改善器件在大功率工作下的性能;所述缓冲层2,其采用BN材料,用于生长外延结构的缓冲层,以提高外延层质量;所述GaN层3,其采用N极性面GaN,用于形成N极性外延结构,以降低欧姆接触电阻。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 西安电子科技大学 金刚石衬底上的N极性面GaN/InAlN异质结及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。