申请/专利权人：山东大学

申请日：2022-09-26

公开（公告）日：2022-12-06

公开（公告）号：CN115440586A

主分类号：H01L21/324

分类号：H01L21/324;H01L21/28;H01L21/335;H01L29/45

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.23#实质审查的生效;2022.12.06#公开

摘要：本发明涉及一种基于混合气体退火的InAlNGaNHEMT的制备方法，通过采用在氢气和氮气混合气体氛围中快速热退火，高温下氢气可有效与表面氧化镓反应，去除材料表面的氧化层，氮气可补充由于表面氧化镓中氧原子去除后留下的氧空位，形成新的氮化镓层，从而修复表面损伤。混合气体退火可以去除GaN帽层表面质量较差的天然氧化物，并且形成一层氮化物，减少表面陷阱态，从而有效降低InAlNGaNHEMT器件的导通电阻Ron和亚阈值摆幅SS，同时增加器件的跨导峰值gm_peak以及电流增益截止频率fT和功率增益截止频率fmax。

主权项：1.一种基于混合气体退火的InAlNGaNHEMT的制备方法，其特征在于，所述InAlNGaNHEMT，包括自下而上依次设置的Si衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InGaN势垒层和GaN帽层；GaN帽层上设置有源电极、漏电极和栅电极，且栅电极位于源电极和漏电极的中间；制备方法包括步骤：1在所述衬底的表面上依次生长GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InGaN势垒层、GaN帽层；2在GaN帽层上沉积源金属电极和漏金属电极；3采用氮气和氢气混合气体，利用快速退火技术形成源电极和漏电极的欧姆接触，去除表面氧化物；4在GaN帽层上沉积栅金属电极，得到InAlNGaNHEMT器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东大学 一种基于混合气体退火的InAlN/GaN HEMT的制备方法

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