申请/专利权人：山东大学

申请日：2022-03-02

公开（公告）日：2022-07-15

公开（公告）号：CN114759085A

主分类号：H01L29/51

分类号：H01L29/51;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/285;H01L21/335;C23C14/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.08.02#实质审查的生效;2022.07.15#公开

摘要：本发明涉及一种基于ScAlN介质层的InAlNGaNMIS‑HEMT及其制备方法，该结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InGaN势垒层、GaN帽层和ScAlN介质层。在GaN帽层上高温生长ScAlN介质层，高温生长的ScAlN与GaN帽层之间的界面陷阱态较少，界面电荷散射较弱，而且ScAlN可以有效钝化材料表面，减少表面陷阱态，从而提高器件的的最大饱和电流IDmax，降低导通电阻Ron。同时，可有效抑制栅下电子隧穿，降低器件栅极漏电和关态漏电流，从而提高栅极控制能力，增加开关电流比IonIoff，以及降低亚阈值摆幅SS。

主权项：1.一种基于ScAlN介质层的InAlNGaNMIS-HEMT，其特征在于，包括自下而上依次设置的SiC衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InGaN势垒层、GaN帽层和ScAlN介质层；GaN帽层上设置有源电极和漏电极；ScAlN介质层上设置有栅电极，且栅电极位于源电极和漏电极的中间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东大学 一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD