申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2020-09-27

公开（公告）日：2021-06-08

公开（公告）号：CN112929585A

主分类号：H04N5/369(20110101)

分类号：H04N5/369(20110101);H04N5/232(20060101);H04N5/357(20110101);H01L27/146(20060101)

优先权：["20191205 KR 10-2019-0160516"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.09#实质审查的生效;2021.06.08#公开

摘要：公开了一种图像传感器，其包括：第一光电二极管组；第二光电二极管组；第一转移晶体管组；第二转移晶体管组；其中存储有第一光电二极管组中产生的电荷的衬底的浮置扩散区；以及用于向第二光电二极管组施加电源电压的电源节点。将势垒电压施加到第二转移晶体管组的至少一个转移晶体管。电源电压使第二光电二极管组中产生的电荷迁移到电源节点，势垒电压在第二光电二极管组与浮置扩散区之间形成势垒。

主权项：1.一种图像传感器，包括：包括光电二极管的第一光电二极管组和包括光电二极管的第二光电二极管组；第一转移晶体管组，包括与所述第一光电二极管组连接的至少一个转移晶体管；衬底的浮置扩散区，被配置为存储当所述第一转移晶体管组的所述至少一个转移晶体管被导通时在所述第一光电二极管组中产生的电荷；以及电源节点，与所述第二光电二极管组连接，所述电源节点被配置为其上施加有电源电压，以将所述电源电压施加到所述第二光电二极管组，所述电源电压使所述第二光电二极管组中产生的电荷迁移到所述电源节点；以及第二转移晶体管组，包括与所述第二光电二极管组连接的至少一个转移晶体管，所述第二转移晶体管组的所述至少一个转移晶体管被配置为其上施加有势垒电压，并且所述势垒电压在所述第二光电二极管组与所述浮置扩散区之间形成势垒。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 图像传感器

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