申请/专利权人：广东汉岂工业技术研发有限公司

申请日：2020-01-15

公开（公告）日：2021-07-16

公开（公告）号：CN113130442A

主分类号：H01L23/522(20060101)

分类号：H01L23/522(20060101);H01L49/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.19#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：本发明提出了一种MIM电容器及其制造方法，MIM电容器包括CBM电极300、CTM电极100以及设置在CBM电极300、CTM电极100之间的第一介电层200；MIM电容器还包括第二介电层600以及设置在第二介电层600底面的第一介电阻挡层700；第二介电层600内部形成有沟槽610，该沟槽610贯穿第一介电阻挡层700并在第一介电阻挡层700上形成底部开口；MIM电容器包括布设在沟槽610内壁上并封闭底部开口的第一扩散阻挡层500以及布设在沟槽610内并位于第一扩散阻挡层500上表面上的第二扩散阻挡层400；CBM电极300、第一介电层200和CTM电极100也设置在沟槽610内；本发明的MIM电容器及其制造方法设计新颖，实用性强。

主权项：1.一种MIM电容器，其特征在于，包括CBM电极300、CTM电极100以及设置在CBM电极300、CTM电极100之间的第一介电层200；MIM电容器还包括第二介电层600以及设置在第二介电层600底面的第一介电阻挡层700；第二介电层600内部形成有沟槽610，该沟槽610贯穿第一介电阻挡层700并在第一介电阻挡层700上形成底部开口；MIM电容器包括布设在沟槽610内壁上并封闭底部开口的第一扩散阻挡层500以及布设在沟槽610内并位于第一扩散阻挡层500上表面上的第二扩散阻挡层400；CBM电极300设置在沟槽610内并位于第二扩散阻挡层400上表面上，第一介电层200和CTM电极100也设置在沟槽610内；MIM电容器还包括埋设在第二介电层600内部并位于CTM电极100上方的第二介电阻挡层900；第二介电层600顶面上开设有贯穿第二介电阻挡层900并与CTM电极100连通的CTM接触孔810；MIM电容器还包括形成于第一介电阻挡层700底部并与第一扩散阻挡层500连接的第一金属互连层800以及填充CTM接触孔810并与CTM电极100连接的第二金属互连层820。

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权利要求：

百度查询： 广东汉岂工业技术研发有限公司 MIM电容器及其制造方法

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