申请/专利权人：香港城市大学深圳研究院

申请日：2020-11-18

公开（公告）日：2022-05-20

公开（公告）号：CN114516658A

主分类号：C01G30/00

分类号：C01G30/00;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.25#授权;2022.06.07#实质审查的生效;2022.05.20#公开

摘要：本发明提供一种两步化学气相沉积法生长稀氮化GaNSb纳米线。该方法包括：在双区固相源化学气相沉积系统的源区装载锑化镓、生长区装载催化剂基片；向源区和生长区中通入氢气，并分别加热至第一预设温度；源区的第一预设温度高出生长区的第一预设温度100～260℃；接着向源区和生长区中通入氨气，并分别加热至第二预设温度；源区的第二预设温度高出源区的第一预设温度20～150℃；源区的第二预设温度高出生长区的第二预设温度220～320℃；待源区和生长区达到各自第二预设温度后继续保温反应，然后冷却降温，于生长区得到稀氮化GaNSb纳米线。该方法合成稀氮化GaNSb纳米线具有大纵横比、高密度且表面光滑无岛状寄生。

主权项：1.一种稀氮化GaNSb纳米线的制备方法，其包括以下步骤：在双区固相源化学气相沉积系统的源区装载锑化镓，生长区装载催化剂基片；向源区和生长区中通入氢气，将源区和生长区分别加热至其相应的第一预设温度；所述源区的第一预设温度高出所述生长区的第一预设温度100～260℃；接着向源区和生长区中通入氨气，此时仍然保持氢气的持续通入，将源区和生长区分别加热至其相应的第二预设温度；所述源区的第二预设温度高出所述源区的第一预设温度20～150℃；所述源区的第二预设温度高出所述生长区的第二预设温度220～320℃；待源区和生长区达到各自第二预设温度后继续保温反应，然后冷却降温，于生长区得到稀氮化GaNSb纳米线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 香港城市大学深圳研究院 两步化学气相沉积法生长稀氮化GaNSb纳米线

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