申请/专利权人：浙江日久新材料科技有限公司

申请日：2021-10-15

公开（公告）日：2022-09-06

公开（公告）号：CN217386689U

主分类号：H01B5/14

分类号：H01B5/14

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.06#授权

摘要：本实用新型公开了一种低反射ITO膜，包括基材层，所述基材层的上表面镀有第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层的上表面镀有第一氧化铟锡层，所述第一氧化铟锡层的上表面镀有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的上表面镀有第二氧化铟锡层。本实用新型通过在原来的导电膜结构上增设一层额外的二氧化硅层和氧化铟锡层，形成二氧化硅+氧化铟锡+二氧化硅+氧化铟锡的四层结构，有效降低了导电膜的反射率，减少了色差，提高了人们的视觉体验；不同镀膜厚度有不同方阻，通过控制二氧化硅层和氧化铟锡层的厚度，可以满足不同的方阻需求。

主权项：1.一种低反射ITO膜，其特征在于：包括基材层1，所述基材层1的上表面镀有第一二氧化硅层2，所述第一二氧化硅层2的上表面镀有第一氧化铟锡层3，所述第一氧化铟锡层3的上表面镀有第二二氧化硅层4，所述第二二氧化硅层4的上表面镀有第二氧化铟锡层5。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江日久新材料科技有限公司 一种低反射ITO膜

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