申请/专利权人：恩智浦有限公司

申请日：2022-03-10

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115083914A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78

优先权：["20210311 US 17/199,153"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：一种具有改进的击穿性能的LDMOS。一种用于制造半导体装置的方法包括在隔离区上方形成板结构。形成电连接到在所述隔离区下方的漂移区的漏极电极，其中所述漏极电极沿着所述半导体装置的有源区域的中心轴线在所述半导体装置的源极与漏极之间的电流流动的方向上与所述板结构的第一位置间隔开第一距离，所述漏极电极沿着平行于所述中心轴线且在所述有源区域内的线与所述板结构的第二位置间隔开第二距离。所述第一距离小于所述第二距离。

主权项：1.一种用于制造横向扩散金属氧化物半导体LDMOS的方法，其特征在于，包括：在隔离区上方形成导电电极；以及形成电连接到在所述隔离区下方的漂移区的漏极电极，所述导电电极围绕所述漏极电极，其中所述漏极电极沿着所述LDMOS的有源区域的中心轴线在所述LDMOS的源极与漏极之间的电流流动的方向上与所述导电电极的第一位置间隔开第一距离，所述漏极电极沿着平行于所述中心轴线且在所述有源区域内的线与所述导电电极的第二位置间隔开第二距离，且所述第一距离小于所述第二距离。

全文数据：

权利要求：

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