申请/专利权人：杭州电子科技大学

申请日：2022-07-03

公开（公告）日：2022-09-23

公开（公告）号：CN115101586A

主分类号：H01L29/207

分类号：H01L29/207;H01L29/08;H01L29/778

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.10.14#实质审查的生效;2022.09.23#公开

摘要：本发明公开了一种凹槽栅增强型GaN基HFETs器件，包括衬底和设置在衬底上方的GaN层，所述GaN层上方设置有源极、漏极和T型栅极，所述源极和漏极之间设置有势垒层，所述势垒层包括势垒层本体、源端掺杂区和漏端掺杂区，所述源端掺杂区和漏端掺杂区通过欧姆接触工艺分别与源极和漏极相连接，所述源端掺杂区和漏端掺杂区掺杂具有大原子半径的金属原子，所述势垒层与GaN层之间设有AlN插层，所述势垒层上表面设置有钝化层。采用上述技术方案，通过在势垒层掺杂具有大原子半径的金属原子能够改变欧姆接触附近势垒层的应变，进而改变与势垒层应变相关的极化库仑场散射的大小，实现栅源通道电阻的调节，从而提高GaN基HFETs的性能。

主权项：1.一种凹槽栅增强型GaN基HFETs器件，包括衬底1和设置在衬底1上方的GaN层2，所述GaN层2上方设置有源极6、漏极8和T型栅极7，其特征在于，所述源极6和漏极8之间设置有势垒层4，所述势垒层4包括势垒层本体401、源端掺杂区402和漏端掺杂区403，所述源端掺杂区402和漏端掺杂区403通过欧姆接触工艺分别与源极6和漏极8相连接，所述源端掺杂区402和漏端掺杂区403掺杂具有大原子半径的金属原子，所述势垒层4与GaN层2之间设有AlN插层3，所述势垒层4上表面设置有钝化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州电子科技大学 一种凹槽栅增强型GaN基HFETs器件及其栅源通道电阻调节方法

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