申请/专利权人:上海芯摄达科技有限公司
申请日:2021-05-14
公开(公告)日:2022-11-15
公开(公告)号:CN115348401A
主分类号:H04N5/378
分类号:H04N5/378;H04N5/357;H04N5/374
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.12.02#实质审查的生效;2022.11.15#公开
摘要:一种用于低噪声图像传感器中SRAM的读出控制方法,其采用的译码器包括:由触发器与门逻辑组成的译码器时钟信号产生电路;依次连接的三个触发器以及多个由触发器组成的译码单元,三个触发器以及多个译码单元根据时钟信号以及读开始信号,生成SRAM连续读出模式所需要的全部控制信号。本发明通过简化读出时所需信号,仅需读出时钟,读开始信号以及读暂停信号即可产生连续读出模式和断续读出模式所需的所有控制信号,无需地址信号的长距离传输;同时本发明提出的断续读出模式显著减小SRAM读操作对CMOS图像传感器图像噪声的影响。
主权项:1.一种译码器,其特征在于,包括:由触发器和与门逻辑组成的译码器时钟信号产生电路;依次连接的三个触发器以及多个由触发器组成的译码单元,三个触发器以及多个译码单元根据时钟信号以及读开始信号,生成SRAM连续读出模式所需要的全部控制信号。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海芯摄达科技有限公司 用于低噪声图像传感器中SRAM的读出控制方法
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