申请/专利权人：高通股份有限公司

申请日：2021-03-25

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115428149A

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02

优先权：["20200423 US 16/856,805"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：集成电路IC层中垂直对齐且导电的哑元用于减小电容并且用于偏置独立性。哑元是金属和半导体IC层的区域中没有电路特征的材料岛，以避免不均匀的抛光“凹陷”。在存在施加的变化电压的情况下，扩散层中的导电扩散层哑元和扩散层上方的多晶硅层中的导电多晶硅哑元减少了偏置依赖性，并且减少了非线性电路操作。与通过晶圆厂布局工具将哑元分散在非重叠布局中的IC相比，具有在多晶硅哑元和扩散哑元上方的至少一个金属层中垂直对齐的金属哑元的IC减小了横向耦合电容。避免由分散的哑元产生的横向电阻‑电容RC梯形网络改进了射频RFIC中的信号延迟和功耗。

主权项：1.一种集成电路IC，包括：扩散层中的多个扩散哑元，每个扩散哑元包括在水平平面中延伸的半导体材料；多晶硅层中的多个多晶硅哑元，所述多晶硅层在与所述水平平面正交的垂直方向上在所述扩散层上方；以及金属层中的多个金属哑元，所述金属层在所述垂直方向上在所述多晶硅层上方，其中：在所述垂直方向上，所述多个金属哑元中的第一金属哑元的第一部分在所述多个多晶硅哑元中的第一多晶硅哑元的第一部分上方；并且在所述垂直方向上，所述多个扩散哑元中的第一扩散哑元的第一部分在所述第一多晶硅哑元的所述第一部分下方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高通股份有限公司 集成电路层中用于电容减小和偏置独立性的垂直对齐导电哑元和制造方法

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