申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2022-10-27

公开（公告）日：2023-01-13

公开（公告）号：CN115602713A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H10B43/35;H10B43/27

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.01.13#公开

摘要：本公开实施例公开了一种三维存储器的制作方法，包括：提供半导体层；所述半导体层包括沿第一方向排布的第一区域、第二区域，所述第一方向垂直于所述半导体层的厚度方向；在所述半导体层上形成多个绝缘层和多个牺牲层交替层叠的堆叠结构；在所述第一区域上形成多个贯穿所述堆叠结构的沟道结构；在所述第二区域上形成贯穿所述堆叠结构且沿所述第一方向延伸的第一栅缝隙；通过所述第一栅缝隙去除所述第二区域上的部分牺牲层；在所述第一区域上形成贯穿所述堆叠结构且沿所述第一方向延伸的第二栅缝隙，所述第一栅缝隙与所述第二栅缝隙连通；通过所述第二栅缝隙去除所述第一区域上的牺牲层。

主权项：1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体层；所述半导体层包括沿第一方向排布的第一区域、第二区域，所述第一方向垂直于所述半导体层的厚度方向；在所述半导体层上形成多个绝缘层和多个牺牲层交替层叠的堆叠结构；在所述第一区域上形成多个贯穿所述堆叠结构的沟道结构；在所述第二区域上形成贯穿所述堆叠结构且沿所述第一方向延伸的第一栅缝隙；通过所述第一栅缝隙去除所述第二区域上的部分牺牲层；在所述第一区域上形成贯穿所述堆叠结构且沿所述第一方向延伸的第二栅缝隙，所述第一栅缝隙与所述第二栅缝隙连通；通过所述第二栅缝隙去除所述第一区域上的牺牲层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其制作方法、存储器系统

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