申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-07-20

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115641888A

主分类号：G11C11/406

分类号：G11C11/406;G11C11/409;G11C29/42

优先权：["20210720 KR 10-2021-0094658","20210916 KR 10-2021-0123649"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.01.24#公开

摘要：提供了半导体存储器装置和存储器系统。半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元行、行锤击管理电路和刷新控制电路。行锤击管理电路响应于来自外部存储器控制器的激活命令对与多个存储器单元行中的每一个关联的访问次数进行计数，以将计数值作为计数数据存储在多个存储器单元行中的每一个中；行锤击管理电路基于计数值确定与多个存储器单元行中的被密集访问超过预定参考次数的至少一个存储器单元行关联的锤击地址；并且行锤击管理电路执行内部读取‑更新‑写入操作。刷新控制电路接收锤击地址，并且对物理地邻近于与锤击地址对应的存储器单元行的受害存储器单元行执行锤击刷新操作。

主权项：1.一种半导体存储器装置，包括：存储器单元阵列，其包括各自包括多个存储器单元的多个存储器单元行；行锤击管理电路，其被配置为：响应于来自外部存储器控制器的激活命令，对与所述多个存储器单元行中的每一个关联的访问次数进行计数，以将计数值作为计数数据存储在所述多个存储器单元行中的每一个中，基于所述计数值确定与所述多个存储器单元行中的被密集地访问多于预定参考次数的至少一个存储器单元行关联的锤击地址，以及响应于在所述激活命令之后施加的第一命令，执行内部读取-更新-写入操作，以从所述多个存储器单元行中的目标存储器单元行读取所述计数数据，更新所读取的所述计数数据，并且将更新的计数数据写入在所述目标存储器单元行中；以及刷新控制电路，其被配置为接收所述锤击地址，并对物理地邻近于与所述锤击地址对应的存储器单元行的一个或多个受害存储器单元行执行锤击刷新操作。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体存储器装置和包括其的存储器系统

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