申请/专利权人：星科金朋私人有限公司

申请日：2022-09-07

公开（公告）日：2023-04-21

公开（公告）号：CN115995435A

主分类号：H01L23/485

分类号：H01L23/485;H01L23/498;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60

优先权：["20211018 US 17/451166"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.04.21#公开

摘要：本公开涉及半导体器件和形成RDL混合内插器衬底的方法。一种半导体器件具有第一衬底和设置在第一衬底上的第一电部件。第一电部件具有第二衬底和形成在第二衬底上的再分布层。第一电部件设置在再分布层上。散热器设置在第一电部件上。散热器设置在第一电部件上。散热器具有第一水平部分、从第一水平部分垂直偏移的第二水平部分、以及从第二水平部分连接第一水平部分的倾斜部分。第二水平部分附着到第一衬底的靠近第一电部件的第一侧的表面。散热器靠近第一电部件的第一侧附着到第一衬底并且靠近第一电部件的第二侧保持开放。

主权项：1.一种制成半导体器件的方法，包括：提供第一衬底；将第一电部件设置在所述第一衬底上；和将散热器设置在所述第一电部件上，其中所述散热器靠近所述第一电部件的第一侧附着到所述第一衬底并且靠近所述第一电部件的第二侧保持开放。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 星科金朋私人有限公司 半导体器件和形成RDL混合内插器衬底的方法

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