申请/专利权人：高通股份有限公司

申请日：2022-04-08

公开（公告）日：2023-11-10

公开（公告）号：CN117043943A

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498

优先权：["20210422 US 17/237,828"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.28#实质审查的生效;2023.11.10#公开

摘要：采用电容器嵌入式再分布层RDL衬底的集成电路IC封装及相关制造方法。嵌入式电容器可以耦合到配电网PDN以提供去耦电容以减少电流电阻IR下降。RDL衬底设置在多个IC芯片与封装衬底之间，以最小化多个嵌入式电容器与多个IC芯片之间的距离，以减少PDN中的寄生电感，从而降低PDN噪声。在RDL衬底设置在封装衬底与多个IC芯片之间的情况下，RDL衬底需要支持封装衬底与多个IC芯片之间的贯通互连。在这方面，RDL衬底包括与外部RDL层，该外部RDL层与多个IC芯片相邻，以支持小节距金属互连以及提供扇出能力。这提供了与更高密度的管芯互连IC芯片的增强的连接性兼容性，同时还支持PDN中更靠近定位的嵌入式电容器。

主权项：1.一种集成电路IC封装，包括：封装衬底，包括多个封装衬底互连；IC芯片，包括多个管芯互连；再分布层RDL衬底，设置在所述封装衬底与所述IC芯片之间，所述RDL衬底包括：RDL层，包括多个再分布金属线，每个再分布金属线包括RDL互连，所述RDL互连耦合到所述多个管芯互连中的管芯互连；衬底层，包括多个衬底互连；以及电容器，设置在所述RDL层与所述衬底层之间；以及至少一个竖直互连访问过孔，电耦合到所述多个管芯互连中的管芯互连和所述电容器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高通股份有限公司 采用电容器嵌入式再分布层（RDL）衬底将（多个）IC芯片接合到封装衬底的集成电路（IC）封装及相关方法

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