申请/专利权人：武创芯研科技(武汉)有限公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117438330B

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;G06F30/3953;G06F30/398;G06F113/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2024.02.09#实质审查的生效;2024.01.23#公开

摘要：一种基于平面压痕的晶圆级封装RDL再布线层缺陷检测方法，包括：依据再布线层检测目标路径规划压痕按压路径进行按压，并测量凹陷数据；处理所述凹陷数据，得到凹陷程度图表;对所述凹陷程度图表进行归一化处理；基于所述归一化处理后的凹陷程度图表，构建缺陷识别与分类模型；基于所述缺陷识别与分类模型，进行缺陷检测并对设置参数进行反馈调节；将得到的样品缺陷结果展示。本发明利用RDL层表面表征的方式对内部金属布线缺陷情况进行判断与定位，有效解决了传统方案费时费力、效率低下、无法准确定位等问题，使得大规模RDL层内部缺陷检测称为可能，为先进三维封装提供更优质的保障。

主权项：1.一种基于平面压痕的晶圆级封装RDL再布线层缺陷检测方法，其特征在于，包括：S100.依据待测产品的再布线层压痕检测的目标路径规划压痕按压路径进行按压，形成沿所述目标路径分布的多个按压点，并测量每个所述按压点的凹陷数据以获得每个所述按压点对应的测试凹陷深度，沿所述目标路径记录每个所述按压点的编号；S200.处理每个所述按压点的所述测试凹陷深度数据，得到所述待测产品的凹陷程度图表;S300.对所述凹陷程度图表进行归一化处理；S400.基于所述归一化处理后的凹陷程度图表，构建缺陷识别与分类模型；S500.基于所述缺陷识别与分类模型，进行缺陷检测并对压痕实验的设置参数进行反馈调节；S600.将得到的样品缺陷结果展示；其中，S100中，首先需获取目标路径响应数据，所述响应数据至少包括：待测区域的金属布线设计图，所述金属布线设计图数据用于规划所述目标路径；所述目标路径垂直方向材料分布截面图，所述截面图数据用于后续归一化数据处理工作提供变量参数，还用于最终的缺陷标定。

全文数据：

权利要求：

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