申请/专利权人：武创芯研科技(武汉)有限公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-01-23

公开（公告）号：CN117438330A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;G06F30/3953;G06F30/398;G06F113/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.09#实质审查的生效;2024.01.23#公开

摘要：一种基于平面压痕的晶圆封装级RDL再布线层缺陷检测方法，包括：依据再布线层检测目标路径规划压痕按压路径进行按压，并测量凹陷数据；处理所述凹陷数据，得到凹陷程度图表;对所述凹陷程度图表进行归一化处理；基于所述归一化处理后的凹陷程度图表，构建缺陷识别与分类模型；基于所述缺陷识别与分类模型，进行缺陷检测并对设置参数进行反馈调节；将得到的样品缺陷结果展示。本发明利用RDL层表面表征的方式对内部金属布线缺陷情况进行判断与定位，有效解决了传统方案费时费力、效率低下、无法准确定位等问题，使得大规模RDL层内部缺陷检测称为可能，为先进三维封装提供更优质的保障。

主权项：1.一种基于平面压痕的晶圆封装级RDL再布线层缺陷检测方法，其特征在于，包括：S100.依据再布线层检测目标路径规划压痕按压路径进行按压，并测量凹陷数据；S200.处理所述凹陷数据，得到凹陷程度图表;S300.对所述凹陷程度图表进行归一化处理；S400.基于所述归一化处理后的凹陷程度图表，构建缺陷识别与分类模型；S500.基于所述缺陷识别与分类模型，进行缺陷检测并对设置参数进行反馈调节；S600.将得到的样品缺陷结果展示。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武创芯研科技(武汉)有限公司 一种基于平面压痕的晶圆封装级RDL再布线层缺陷检测方法

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