申请/专利权人：豪威科技(上海)有限公司

申请日：2023-03-09

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116153954A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146;H01L23/552;H01L23/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本发明提供一种堆叠式CMOS图像传感器及其制作方法，包括：键合的逻辑晶圆和像素晶圆，逻辑晶圆包括第一衬底和第一金属层；像素晶圆包括第二衬底和第二金属层；第二衬底中侧形成有接地孔和接地焊垫；第三金属层填充硅通孔且与第一金属层电连接，第三金属层还通过第二金属层与接地焊垫电连接；互连层遮光部填充接地孔并延伸覆盖部分第二衬底且与第三金属层电连接。工艺制程中产生的电荷可经第二衬底导入到接地孔，经互连层遮光部导入到硅通孔中的第三金属层，再经第二金属层导入到接地焊垫和或经第一金属层导入到第一衬底，使电荷有释放路径导走。还可防止堆叠式CMOS图像传感器的静电干扰以及其他电磁干扰等，提高信号稳定性。

主权项：1.一种堆叠式CMOS图像传感器，其特征在于，包括：键合的逻辑晶圆和像素晶圆，所述逻辑晶圆包括第一衬底、位于所述第一衬底上的第一介质层和嵌设于所述第一介质层中的第一金属层；所述像素晶圆包括第二衬底、位于所述第二衬底上的第二介质层和嵌设于所述第二介质层中的第二金属层，所述第一介质层面向所述第二介质层键合；所述第二衬底远离所述第二介质层的一侧形成有接地孔；所述第二衬底表面或内部形成有接地焊垫；硅通孔，所述硅通孔贯穿所述像素晶圆和部分厚度的所述第一介质层暴露出所述第一金属层；第三金属层，所述第三金属层填充所述硅通孔且与所述第一金属层电连接，所述第三金属层还通过所述第二金属层与所述接地焊垫电连接；互连层，所述互连层包括互连层遮光部，所述互连层遮光部填充所述接地孔并延伸覆盖部分所述第二衬底，且所述互连层遮光部与所述第三金属层电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 豪威科技(上海)有限公司 堆叠式CMOS图像传感器及其制作方法

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