申请/专利权人：上海晶丰明源半导体股份有限公司

申请日：2022-03-31

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN219066824U

主分类号：H01L27/06

分类号：H01L27/06;H01L25/18;H01L21/82;H01L21/50;H02M1/084;H02M1/088;H02M1/44;H02M3/158

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.23#授权

摘要：一种半导体结构及半导体多相电源管理模块，其中半导体结构包括至少一个第一芯片，该第一芯片包括半导体衬底和形成在该衬底上表面上的有源层、形成在该第一芯片的有源层中的一个或多个横向金属氧化物半导体器件。所述半导体结构还包括设置在该第一芯片的半导体衬底背面的至少一第一集成电容器。该第一集成电容器包括与衬底背面电连接的第一导电层、在第一导电层上表面的至少一部分上形成的绝缘层，以及在绝缘层上表面的至少一部分上形成的第二导电层。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：至少一第一芯片，所述第一芯片包括半导体衬底和在所述衬底上表面上形成的有源层，一个或多个横向金属氧化物半导体器件形成于所述第一芯片的所述有源层中；和至少一第一集成电容器，其设置在所述第一芯片的所述半导体衬底的背面上，所述第一集成电容器包括与所述衬底的所述背面电连接的第一导电层、在所述第一导电层的上表面的至少一部分上形成的绝缘层，以及在所述绝缘层的上表面的至少一部分上形成的第二导电层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海晶丰明源半导体股份有限公司 半导体结构及半导体多相电源管理模块

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