申请/专利权人：北京超弦存储器研究院

申请日：2021-11-25

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116169145A

主分类号：H01L27/092

分类号：H01L27/092;H01L27/02;H01L21/8238

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要：本发明提供了一种共享栅极的垂直二维互补场效应管器件及其制造方法，器件包括：基片包括凸起部；场效应管单元，在垂直于基片的竖直方向上设置在凸起部上，每个场效应管单元与凸起部一一对应设置，场效应管单元包括P型场效应管子单元和N型场效应管子单元，N型场效应管子单元与P型场效应管子单元存在共享栅极。方法包括：在基片上加工凸起部和垂直于基片的多个场效应管子单元雏形，场效应管子单元雏形的两端设有骨架连接，对场效应管子单元雏形的上段和下段分别进行N型和P型掺杂处理；进行蚀刻露出场效应管子单元雏形的上段，上段设置氮氧化硅层，上段和下段连接处生长跟基片材料相同的场效应管子单元间连接，然后进行后处理工艺。

主权项：1.一种共享栅极的垂直二维互补场效应管器件，其特征在于，包括：基片，包括凸起部；场效应管单元，在垂直于所述基片的竖直方向上设置在所述凸起部上，每个场效应管单元与所述凸起部一一对应设置，所述场效应管单元包括P型场效应管子单元和N型场效应管子单元，所述N型场效应管子单元与所述P型场效应管子分别包括源极、栅极和漏极；其中，所述N型场效应管子单元与所述P型场效应管子单元存在共享栅极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京超弦存储器研究院 共享栅极的垂直二维互补场效应管器件及其制造方法

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