申请/专利权人:中国科学院半导体研究所
申请日:2023-12-06
公开(公告)日:2024-04-12
公开(公告)号:CN117878153A
主分类号:H01L29/78
分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开
摘要:本公开提供了一种阶梯型场效应晶体管器件及其制备方法,其中阶梯型场效应晶体管器件包括:半导体基片;有源区,设置于基片中,有源区包括:屏蔽层、传输层、导电层、阶梯型掺杂区,其中,屏蔽层包括第一屏蔽部和第二屏蔽部,第一屏蔽部和第二屏蔽部呈阶梯排列,第一屏蔽部和第二屏蔽部之间具有间隙结构;阶梯型结型场效应晶体管区,设置于基片顶部;栅电极接触,覆盖于传输层上方,以构建传输层和导电层之间的电荷输运沟道;介质层;欧姆接触;以及源区金属层。
主权项:1.一种阶梯型场效应晶体管器件,包括:半导体基片;有源区,设置于所述基片中,所述有源区包括:屏蔽层、传输层、导电层、阶梯型掺杂区,其中,所述屏蔽层包括第一屏蔽部和第二屏蔽部,所述第一屏蔽部和所述第二屏蔽部呈阶梯排列,所述第一屏蔽部和所述第二屏蔽部之间具有间隙结构;阶梯型结型场效应晶体管区,设置于所述基片顶部;栅电极接触,呈阶梯分裂排列,覆盖于所述传输层上方,以构建所述传输层和所述导电层之间的电荷输运沟道;介质层;欧姆接触;以及源区金属层。
全文数据:
权利要求:
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