申请/专利权人:应用材料公司
申请日:2021-10-06
公开(公告)日:2023-08-08
公开(公告)号:CN116568857A
主分类号:C23C16/26
分类号:C23C16/26
优先权:["20201021 US 17/075,967"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.11.03#实质审查的生效;2023.08.08#公开
摘要:本公开内容的实施例总体涉及形成硬模的方法。本文描述的实施例使得能够例如形成具有降低的膜应力的含碳硬模。在实施例中,提供了处理基板的方法。方法包括将基板定位在处理腔室的处理空间中,并在基板上沉积类金刚石碳DLC层。在沉积DLC层之后,通过执行等离子体处理来降低膜应力,其中等离子体处理包括施加约100W至约10,000W的射频RF偏压功率。
主权项:1.一种处理基板的方法,包括以下步骤:将基板定位在处理腔室的处理空间中;在所述基板上沉积类金刚石碳DLC层;以及在沉积所述DLC层之后,通过执行等离子体处理来降低所述DLC层的膜应力,所述等离子体处理包括施加约100W到约10,000W的射频RF偏压功率。
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