申请/专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院

申请日：2022-03-09

公开（公告）日：2023-08-11

公开（公告）号：CN114778488B

主分类号：G01N21/41

分类号：G01N21/41;G01D5/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.11#授权;2022.08.09#实质审查的生效;2022.07.22#公开

摘要：本发明属于微纳光学器件的技术领域，特别公开了一种基于开环腔耦合MIM波导的多重Fano共振折射率传感器。所述折射率传感器包括基底层、金属层、第一直波导、第二直波导、第一谐振腔和第二谐振腔；所述基底层位于所述金属层的下方；所述第一直波导、第二直波导、第一谐振腔和第二谐振腔通过开槽的方式设置在所述金属层内；所述第一直波导和第二直波导位于同一直线上；所述第一谐振腔和第二谐振腔为对向开口的半圆形腔体。本发明结构清晰简洁、尺度微小、光学响应较快，能够产生Fano共振并且具有高传感灵敏度和高品质因数，可用于检测待测物质的折射率变化，从而实现微尺度光学领域的纳米级折射率传感。

主权项：1.一种基于开环腔耦合MIM波导的多重Fano共振折射率传感器，其特征在于，所述折射率传感器包括基底层（1）、金属层（2）、第一直波导（3）、第二直波导（4）、第一谐振腔（5）和第二谐振腔（6）；所述基底层（1）位于所述金属层（2）的下方；所述第一直波导（3）、第二直波导（4）、第一谐振腔（5）和第二谐振腔（6）通过开槽的方式设置在所述金属层（2）内；所述第一直波导（3）和第二直波导（4）位于同一直线上，但是不连通，并且所述第一直波导（3）和第二直波导（4）在金属层（2）内对称设置，所述第一直波导（3）和第二直波导（4）均为带矩形短柱的直波导，其中带矩形短柱的一端位于所述金属层（2）的中部；所述第一谐振腔（5）和第二谐振腔（6）为对向开口的半圆形腔体，所述第一谐振腔（5）与第二谐振腔（6）的圆心相重合，并且所述圆心位于所述第一直波导（3）和第二直波导（4）的对称轴上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院合肥物质科学研究院 一种基于开环腔耦合MIM波导的多重Fano共振折射率传感器

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