申请/专利权人：上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司

申请日：2022-02-17

公开（公告）日：2023-08-29

公开（公告）号：CN116651842A

主分类号：B08B3/12

分类号：B08B3/12;B08B3/02;B08B13/00;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.09.15#实质审查的生效;2023.08.29#公开

摘要：本发明所述的一种晶圆材料清洗方法，涉及半导体工艺领域，包括:步骤1，将晶圆材料放入第一清洗槽内的第一清洗液中浸泡，并同时辅以兆声波清洗；步骤2，将步骤1清洗后的晶圆材料放入第一水槽内进行清洗；步骤3，将步骤2清洗后的晶圆材料放入第二清洗槽内的第二清洗液浸泡，并辅以兆声波清洗；步骤4，将步骤3清洗后的晶圆材料放入第二水槽内进行清洗；步骤5，将步骤4清洗后的晶圆材料放入第三清洗槽内的第三清洗液中浸泡，再送入第三水槽进行清洗；步骤6，将步骤5中清洗后的晶圆材料传输至干燥槽内对晶圆材料表面残留的水分进行干燥。本发明通过对清洗工艺、温度、时间以及兆声波的实时控制，提高了晶圆材料的清洗效果。

主权项：1.一种晶圆材料清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，将所述晶圆材料放入第一清洗槽内的第一清洗液中浸泡4min至6min，然后打开设置在所述第一清洗槽槽底的排液阀门进行排液，并在所述排液阀门排液的同时，打开安装在第一清洗槽上方的4根喷管对晶圆材料进行喷淋，同时通过兆声波清洗3分钟-4分钟，其中，所述喷管呈两两平行设置，构成一个正方形的喷管结构，每根喷管的喷淋水量为30~301min，并在每根喷管上安装有若干喷嘴，对晶圆材料进行清洗，所述喷嘴包括喷嘴本体（100）与喷嘴模块（200），所述喷嘴模块（200）包括高压开关单元（T1）、低压输出单元T2、低压开关单元T3以及第一二极管D1，其中，所述高压开关单元（T1）与所述喷嘴模块的电磁线圈（L）的一端电连接，用于控制所述嘴模块开启脉冲电流的大小，并开启所述喷嘴本体（100），所述低压输出单元T2与所述高压开关单元T1电连接所述喷嘴模块200的电磁线圈L的同一端，用于控制喷嘴模块维持电流，并维持所述喷嘴本体的开启状态，所述低压开关单元T3与所述喷嘴模块的电磁线圈（L）的另一端电连接，用于控制所述喷嘴本体100关闭，所述第一二极管D1的阳极接地，所述第一二极管D1的阴极接所述喷嘴模块的电磁线圈L，用于为所述高压开关单元T1和低压开关单元T3断开后的喷嘴电磁线圈提供续流通道；步骤2，将步骤1清洗后的晶圆材料放入第一水槽内进行清洗，清除晶圆材料表面附着的第一清洗液；步骤3，将步骤2清洗后的晶圆材料放入第二清洗槽内的第二清洗液进行浸泡，并通过兆声波清洗3分钟至4分钟，其中，所述第二清洗液包括臭氧水;步骤4，将步骤3清洗后的晶圆材料放入第二水槽内进行清洗，清除晶圆材料表面附着的第二清洗液；步骤5，将步骤4清洗后的晶圆材料放入第三清洗槽内的第三清洗液中进行浸泡，以去除晶圆材料表面的氧化膜，再送入第三水槽进行最终清洗；步骤6，将步骤5中清洗后的晶圆材料传输至干燥槽内，以使所述干燥槽始终维持在50℃至60℃的温度对晶圆材料表面残留的水分进行干燥。

全文数据：

权利要求：

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