申请/专利权人：深圳腾睿微电子科技有限公司

申请日：2023-05-29

公开（公告）日：2023-09-01

公开（公告）号：CN116344591B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/872

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.01#授权;2023.08.25#著录事项变更;2023.07.14#实质审查的生效;2023.06.27#公开

摘要：本发明提供一种具有JBS晶胞结构的碳化硅半导体器件，其包括阴极层、N+衬底层、N‑外延层、P掺杂层以及阳极层；N+衬底层设置在阴极层上；N‑外延层设置在N+衬底层上；P掺杂层设置在N‑外延层的顶部，其包括多个P+元胞；阳极层设置在P掺杂层和N‑外延层上；其中P+元胞包括具有底部凹槽的元胞本体部。

主权项：1.一种具有JBS晶胞结构的碳化硅半导体器件，其特征在于，包括：阴极层；N+衬底层，设置在所述阴极层上；N-外延层，设置在所述N+衬底层上；P掺杂层，设置在所述N-外延层的顶部，其包括多个P+元胞；阳极层，设置在所述P掺杂层和所述N-外延层上；其中所述P+元胞包括具有底部凹槽的元胞本体部以及设置所述底部凹槽内的元胞填充部；所述元胞本体部从内到外依次设置有第一元胞本体、第二元胞本体以及第三元胞本体，所述第三元胞本体的掺杂浓度大于所述第二元胞本体的掺杂浓度；所述第二元胞本体的掺杂浓度大于所述第一元胞本体的掺杂浓度;所述第二元胞本体的掺杂浓度等于所述元胞填充部的掺杂浓度;所述第三元胞本体的设置深度大于所述第一元胞本体的设置深度，所述第一元胞本体的设置深度等于所述第二元胞本体的设置深度，以便通过所述第二元胞本体和所述第三元胞本体的深度差异构成所述元胞本体部的底部凹槽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳腾睿微电子科技有限公司 具有JBS晶胞结构的碳化硅半导体器件

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