申请/专利权人：复旦大学

申请日：2023-07-13

公开（公告）日：2023-10-27

公开（公告）号：CN116963585A

主分类号：H10N60/01

分类号：H10N60/01;G01R33/035

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.14#实质审查的生效;2023.10.27#公开

摘要：本发明属于超导量子器件技术领域，具体为一种在SQUID芯片上集成超导针尖的方法。本发明方法主要包括：运用飞秒激光三维激光直写在芯片上打印针尖主体，接着进行绝缘层和超导层的生长蒸镀，再利用聚焦离子束刻蚀进行纳米级修饰加工。本发明得到超导针尖可以起到会聚磁场的作用，同时还为芯片拓展原子力显微、隧穿电流显微等能力。

主权项：1.一种在SQUID芯片上集成超导针尖的方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）将光刻胶均匀压平在芯片上，确保芯片上各处均有足够厚度且平整的光刻胶；（2）运用飞秒激光三维激光直写装置在芯片上选定位置对针尖主体形状进行曝光，于显影液中洗去未被曝光的光刻胶，留下针尖主体；（3）在芯片上先后蒸镀50-300纳米厚度的绝缘层和超导层；（4）利用聚焦离子束刻蚀在超导针尖头部加工50-500纳米大小的小孔，在侧壁加工数50-100纳米宽度的狭缝；（5）最后蒸镀绝缘层作保护。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 复旦大学 一种在SQUID芯片上集成超导针尖的方法

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