申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2023-08-30

公开（公告）日：2023-11-03

公开（公告）号：CN116995534A

主分类号：H01S5/40

分类号：H01S5/40;H01S5/14;H01S5/042;H01S5/028

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.21#实质审查的生效;2023.11.03#公开

摘要：本发明公开了一种并联耦合自成像外腔相干阵半导体激光器，包括：半导体激光芯片阵列、通光介质层和外腔反射层；半导体激光芯片阵列包括多个发光单元，通光介质层和外腔反射层构成激光自成像外腔；半导体激光芯片阵列出光面的非发光区域镀有高反射膜，高反射膜使半导体激光芯片阵列边缘处由于自成像不完全而导致无法注入至发光单元的反馈光可在自成像外腔中多次振荡，以重新形成可完全注入到发光单元中的自成像。本发明提高了发光区域外激光的注入，可将芯片阵列中包括边缘在内的所有发光单元高效并联耦合，消除自成像外腔反馈产生的芯片阵列边缘效应，增强自成像外腔反馈效率，获得高并联耦合效率、高效光互注入的相干阵激光输出。

主权项：1.一种并联耦合自成像外腔相干阵半导体激光器，其特征在于，包括：自下而成依次设置的半导体激光芯片阵列、通光介质层和外腔反射层；所述半导体激光芯片阵列包括多个发光单元，所述通光介质层和外腔反射层构成激光自成像外腔；所述半导体激光芯片阵列的发光单元发出的激光通过所述激光自成像外腔反射形成自成像注入至发光单元中，实现反馈光互注入，形成相干光输出；所述半导体激光芯片阵列出光面的非发光区域镀有高反射膜，所述高反射膜使所述半导体激光芯片阵列边缘处由于自成像不完全而导致无法注入至发光单元的反馈光可在自成像外腔中多次振荡，以重新形成可完全注入到发光单元中的自成像。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 一种并联耦合自成像外腔相干阵半导体激光器及制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD