申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2022-02-14

公开（公告）日：2023-11-10

公开（公告）号：CN117044422A

主分类号：H10B43/27

分类号：H10B43/27

优先权：["20210323 US 17/209,993"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.13#实质审查的生效;2023.11.10#公开

摘要：一种微电子装置包括包含与导电阶层垂直交错的绝缘阶层的堆叠结构。所述导电阶层个别地包括第一导电结构及与所述第一导电结构横向相邻的第二导电结构，所述第二导电结构展现随着距垂直相邻绝缘阶层的垂直距离而变化的β相钨的浓度。所述微电子装置进一步包括：狭槽结构，其垂直延伸穿过所述堆叠结构且将所述堆叠结构划分成块结构；及存储器胞元串，其垂直延伸穿过所述堆叠结构，所述第一导电结构在存储器胞元的横向相邻串之间，所述第二导电结构在所述狭槽结构与最接近所述狭槽结构的存储器胞元串之间。还描述相关存储器装置、电子系统及方法。

主权项：1.一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其包括与导电阶层垂直交错的绝缘阶层，所述导电阶层个别地包括：第一导电结构；及第二导电结构，其与所述第一导电结构横向相邻，所述第二导电结构展现随着距垂直相邻绝缘阶层的垂直距离而变化的β相钨的浓度；狭槽结构，其垂直延伸穿过所述堆叠结构且将所述堆叠结构划分成块结构；及存储器胞元串，其垂直延伸穿过所述堆叠结构，所述第一导电结构在存储器胞元的横向相邻串之间，所述第二导电结构在所述狭槽结构与最接近所述狭槽结构的存储器胞元串之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 包含具有不同成分的导电阶层的微电子装置以及相关存储器装置、电子系统及方法

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