申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2023-05-31

公开（公告）日：2023-12-05

公开（公告）号：CN117174130A

主分类号：G11C11/40

分类号：G11C11/40;G11C11/4094;G11C11/4074

优先权：["20220602 US 63/365,773","20230510 US 18/315,311"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.12.05#公开

摘要：本公开涉及较高电压晶片与较低电压晶片之间的接口以及相关设备及方法。一种设备包含存储器晶片及逻辑晶片。阵列的数据存储元件经配置以响应于操作电压电势执行操作。所述存储器晶片还包含电连接到所述数据存储元件的位线及电连接到所述位线的隔离装置。所述逻辑晶片接合到所述存储器晶片。所述逻辑晶片包含通过所述隔离装置电连接到所述位线的逻辑电路系统。所述逻辑电路系统的最大电压电势差容限小于所述操作电压电势与所述逻辑电路系统的参考电压电势之间的操作电压电势差。一种方法包含将所述逻辑电路系统与所述位线隔离，将所述操作电压电势施加到所述数据存储元件及将所述逻辑电路系统电连接到所述位线。

主权项：1.一种设备，其包括：存储器晶片，其包含：数据存储元件阵列，所述数据存储元件阵列的所述数据存储元件经配置以响应于施加到其的操作电压电势执行操作；位线，其电连接到所述数据存储元件阵列；及隔离装置，其电连接到所述位线；以及逻辑晶片，其接合到所述存储器晶片，所述逻辑晶片包含通过所述隔离装置电连接到所述位线的逻辑电路系统，所述逻辑电路系统的最大电压电势差容限小于所述操作电压电势与所述逻辑电路系统的参考电压电势之间的操作电压电势差。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 较高电压晶片与较低电压晶片之间的接口以及相关设备及方法

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