申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2023-08-24

公开（公告）日：2023-12-08

公开（公告）号：CN117198991A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.26#实质审查的生效;2023.12.08#公开

摘要：本发明提供一种铜电镀站点超出Q‑time的挽救方法，提供包含有介质层的晶圆，刻蚀介质层得到通孔和沟槽；在通孔的底部和侧壁依次形成一层阻挡层和种子层；晶圆形成阻挡层和种子层后进入Gu电镀工艺的下一站点的时间限制设为Q‑time；若晶圆形成阻挡层和种子层后进入Gu电镀工艺的下一站点的等待时间没有超过Q‑time，则该晶圆进入Gu电镀工艺站点，对通孔和沟槽进行Gu电镀；若晶圆形成所述阻挡层和种子层后进入Gu电镀工艺的下一站点的等待时间超过Q‑time，则对晶圆的通孔和沟槽进行低温预清洁；对经过低温预清洁的晶圆的通孔和沟槽进行Gu电镀以填充通孔和沟槽。

主权项：1.一种铜电镀站点超出Q-time的挽救方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供包含有介质层的晶圆，刻蚀所述介质层得到通孔和沟槽；步骤二、在所述通孔的底部和侧壁依次形成一层阻挡层和种子层；步骤三、所述晶圆形成所述阻挡层和种子层后进入Gu电镀工艺的下一站点的时间限制设为Q-time；若所述晶圆形成所述阻挡层和种子层后进入Gu电镀工艺的下一站点的等待时间没有超过所述Q-time，则该晶圆进入Gu电镀工艺站点，对所述通孔和沟槽进行Gu电镀；若所述晶圆形成所述阻挡层和种子层后进入Gu电镀工艺的下一站点的等待时间超过所述Q-time，则对所述晶圆的通孔和沟槽进行低温预清洁；步骤四、对经过低温预清洁的晶圆的所述通孔和沟槽进行Gu电镀以填充所述通孔和沟槽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种铜电镀站点超出Q-time的挽救方法

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