申请/专利权人：深圳腾睿微电子科技有限公司

申请日：2023-05-29

公开（公告）日：2023-12-12

公开（公告）号：CN220172134U

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.12#授权

摘要：本实用新型提供一种具有JBS晶胞结构的碳化硅半导体器件，其包括阴极层、N+衬底层、N‑外延层、P掺杂层以及阳极层；N+衬底层设置在阴极层上；N‑外延层设置在N+衬底层上；P掺杂层设置在N‑外延层的顶部，其包括多个P+元胞；阳极层设置在P掺杂层和N‑外延层上；阳极层和P掺杂层之间还设置有欧姆接触层，其中P+元胞包括具有底部凹槽的元胞本体部。

主权项：1.一种具有JBS晶胞结构的碳化硅半导体器件，其特征在于，包括：阴极层；N+衬底层，设置在所述阴极层上；N-外延层，设置在所述N+衬底层上；P掺杂层，设置在所述N-外延层的顶部，其包括多个P+元胞；阳极层，设置在所述P掺杂层和所述N-外延层上；所述阳极层和所述P掺杂层之间还设置有欧姆接触层；其中所述P+元胞包括具有底部凹槽的元胞本体部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳腾睿微电子科技有限公司 一种具有JBS晶胞结构的碳化硅半导体器件

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