申请/专利权人：哈尔滨工业大学

申请日：2023-10-25

公开（公告）日：2024-01-09

公开（公告）号：CN117373518A

主分类号：G11C16/14

分类号：G11C16/14;G11C16/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.26#实质审查的生效;2024.01.09#公开

摘要：本发明的一种提高SONOS型FLASH电荷保持特性的方法，涉及一种半导体器件特性优化方法。目的是为了克服现有SONOS型非易失性存储器件数据保持能力容易降低变差的问题，本发明具体步骤如下：步骤一、对SONOS型FLASH存储器件进行高压擦除；步骤二、对SONOS型FLASH存储器件进行编程；步骤三、对SONOS型FLASH存储器件进行软擦除；并判断SONOS型FLASH存储器件编程后的阈值电压是否达到饱和；是则完成处理；否则返回执行步骤二。

主权项：1.一种提高SONOS型FLASH电荷保持特性的方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤一、对SONOS型FLASH存储器件进行高压擦除；步骤二、对SONOS型FLASH存储器件进行编程；步骤三、对SONOS型FLASH存储器件进行软擦除；并判断SONOS型FLASH存储器件编程后的阈值电压是否达到饱和；是则完成处理；否则返回执行步骤二。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学 一种提高SONOS型FLASH电荷保持特性的方法

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