申请/专利权人：上海芯波电子科技有限公司

申请日：2022-05-09

公开（公告）日：2024-01-30

公开（公告）号：CN114884483B

主分类号：H03H9/17

分类号：H03H9/17;H03H9/25;H03H9/13;H03H9/145;H03H3/04;H03H3/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.30#授权;2022.08.26#实质审查的生效;2022.08.09#公开

摘要：本发明适用于MEMS芯片制造工艺领域，提供了一种SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片及其制造工艺。SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片包括衬底、BAW模块和SAW模块；所述衬底、所述BAW模块和所述SAW模块依次层叠设置；所述BAW模块包括第一电极层、第二电极层和介质层，所述第一电极层、所述介质层和所述第二电极层依次层叠设置，形成“三明治”结构膜层；所述SAW模块包括电声转换器，所述电声转换器通过第一导线分别与所述第一电极层和所述第二电极层连接；所述第一电极层和所述衬底之间设置有第一空腔，所述第二电极层和所述SAW模块之间设置有第二空腔。本发明可满足不同频段声波滤波需求，拥有相对较高的Q值设计，且与终端产品的高集成小尺寸的要求有更高适配度。

主权项：1.一种SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片，其特征在于，所述SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片包括衬底、BAW模块和SAW模块；所述衬底、所述BAW模块和所述SAW模块依次层叠设置；所述BAW模块包括第一电极层、第二电极层和介质层，所述第一电极层、所述介质层和所述第二电极层依次层叠设置，形成“三明治”结构膜层；所述SAW模块包括电声转换器，所述电声转换器通过第一导线分别与所述第一电极层和所述第二电极层连接；所述衬底和所述SAW模块之间设置有支撑柱，所述第一电极层和所述衬底之间设置有第一空腔，所述第二电极层和所述SAW模块之间设置有第二空腔；所述SAW模块还包括高阻片和钝化层，所述钝化层、所述电声转换器和所述高阻片依次层叠设置；所述第二空腔设置在所述第二电极层和所述高阻片之间，所述SAW模块上设置有锡银球体和铜柱；所述锡银球体与所述铜柱连接，所述铜柱通过第二导线与所述第一导线连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海芯波电子科技有限公司 一种SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片及其制造工艺

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