申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司

申请日：2022-07-25

公开（公告）日：2024-02-02

公开（公告）号：CN117498157A

主分类号：H01S5/34

分类号：H01S5/34;H01S5/343;H01S5/028;H01S5/30;H01S5/32

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要：本发明公开一种透明隧穿过渡层的GaAs大功率激光器外延片，该激光器外延片的P限制层与上波导层之间具有GaP透明隧穿过渡层，且该激光器外延片的N限制层与P限制层的组分非对称、厚度非对称。本发明的激光器外延片在非对称外延结构的基础上，在P限制层与上波导层之间加入了GaP透明隧穿过渡层，从而在保留非对称外延结构具有的低串联电阻和低载流子泄露优点的同时，实现反射率中心与量子阱光场重合，提升半导体激光器的输出功率及转换效率。另外，本发明通过在GaP透明隧穿过渡层中掺杂高浓度杂原子形成隧穿结构，降低了因为GaP导致的电压提升，实现了对外延结构整体的应力中和，有效提升了激光器可靠性。

主权项：1.一种透明隧穿过渡层的GaAs大功率激光器外延片，其中：该激光器外延片的P限制层与上波导层之间具有GaP透明隧穿过渡层，且该激光器外延片的N限制层与P限制层的组分非对称、厚度非对称。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种透明隧穿过渡层的GaAs大功率激光器外延片

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