申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2022-11-16

公开（公告）日：2024-02-20

公开（公告）号：CN117581367A

主分类号：H01L27/088

分类号：H01L27/088

优先权：["20211222 US 17/559,903"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.02.20#公开

摘要：描述了具有着落在电介质虚设鳍状物上的金属栅极插塞的集成电路结构，以及制造具有着落在电介质虚设鳍状物上的金属栅极插塞的集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括浅沟槽隔离STI结构中的子鳍状物。多个水平堆叠的纳米线在子鳍状物之上。栅极电介质材料层围绕水平堆叠的纳米线。栅极电极结构在栅极电介质材料层之上。电介质虚设鳍状物与多个水平堆叠的纳米线横向间隔开，电介质虚设鳍状物具有在子鳍状物的最上表面下方的最下表面。电介质栅极插塞在电介质虚设鳍状物上。

主权项：1.一种集成电路结构，包括：子鳍状物，所述子鳍状物在浅沟槽隔离STI结构中；多个水平堆叠的纳米线，所述多个水平堆叠的纳米线在所述子鳍状物之上；栅极电介质材料层，所述栅极电介质材料层围绕所述水平堆叠的纳米线；栅极电极结构，所述栅极电极结构在所述栅极电介质材料层之上；电介质虚设鳍状物，所述电介质虚设鳍状物与所述多个水平堆叠的纳米线横向间隔开，所述电介质虚设鳍状物具有在所述子鳍状物的最上表面下方的最下表面；以及电介质栅极插塞，所述电介质栅极插塞在所述电介质虚设鳍状物上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 具有着落在电介质虚设鳍状物上的金属栅极插塞的集成电路结构

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