申请/专利权人：武汉鑫威源电子科技有限公司

申请日：2024-01-19

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN117613158A

主分类号：H01L33/12

分类号：H01L33/12;H01L33/04;H01L33/00;H01L33/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.15#实质审查的生效;2024.02.27#公开

摘要：本发明提供了一种GaN基LD外延结构，包括衬底、复合缓冲层和复合过渡层，所述复合缓冲层包括依次层叠生长的第一缓冲子层、第二缓冲子层和第三缓冲子层，第一缓冲子层的材质为AlN，第二缓冲子层的材质为AlxGa1‑xN，第三缓冲子层的材质为AlyGa1‑yN，其中，0x0.2，0≤y0.2，且xy；所述复合过渡层包括依次层叠生长的第一过渡子层、第二过渡子层、第三过渡子层和第四过渡子层，第一过渡子层为小岛形成层，第二过渡子层为大岛形成层，第三过渡子层为大岛合并填充层，第四过渡子层为超晶格层。该发明利用复合缓冲层和复合过渡层的生长方式，减少点缺陷密度以及向上延伸的线性缺陷，提高外延片生长的晶体质量，进而提高了LD有源区辐射复合。

主权项：1.一种GaN基LD外延结构，其特征在于：包括依次层叠生长于衬底上的复合缓冲层和复合过渡层，所述复合缓冲层包括依次层叠生长的第一缓冲子层、第二缓冲子层和第三缓冲子层，所述第一缓冲子层的材质形成于所述衬底上，所述第一缓冲子层的材质为AlN，所述第二缓冲子层的材质为AlxGa1-xN，所述第三缓冲子层的材质为AlyGa1-yN，其中，0x0.2，0≤y0.2，且xy；所述复合过渡层包括依次层叠生长的第一过渡子层、第二过渡子层、第三过渡子层和第四过渡子层，所述第一过渡子层生长于所述第三缓冲子层上，所述第一过渡子层为小岛形成层，所述第二过渡子层为大岛形成层，所述第三过渡子层为大岛合并填充层，所述第四过渡子层为超晶格层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉鑫威源电子科技有限公司 一种GaN基LD外延结构及其制备方法

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