申请/专利权人：西安微电子技术研究所

申请日：2023-06-30

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN117613029A

主分类号：H01L23/528

分类号：H01L23/528;H01L23/48;H01L21/768;H01L23/485;G06F30/394

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.15#实质审查的生效;2024.02.27#公开

摘要：本发明提出了一种类同轴TSV结构及其设计方法，结构包括硅基板、上层地平面和下层地平面，上层地平面设置在硅基板的上部，下层地平面设置在硅基板的下部，硅基板上设置RDL布线，所述RDL布线包括两条信号路径，每条路径上设置两个TSV孔，以TSV孔为中心在TSV孔的外周设置有TSV阵列，所述TSV阵列包括若干接地TSV孔。通过在TSV孔的外周设置接地TSV孔，使多个TSV孔之间在射频传输过程中能够充分隔离，实现低串扰、低插损和低回损的性能，保证了类同轴TSV在工作过程中的屏蔽效果。并且通过设置下层地平面的面积小于上层地平面的面积，能够有效避免腔体谐振的产生。

主权项：1.一种类同轴TSV结构，其特征在于，包括硅基板、上层地平面4和下层地平面5，所述上层地平面4设置在硅基板上部，下层地平面5设置在硅基板下部，硅基板上设置RDL布线3，所述RDL布线3包括两条信号路径，每条路径上设置两个TSV孔2，以TSV孔2为中心在TSV孔2的外周设置有TSV阵列1，所述TSV阵列1包括若干接地TSV孔102。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安微电子技术研究所 一种类同轴TSV结构及其设计方法

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